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一般和書
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ぞうしょじょうほう

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しょしじょうほうサマリ

本のだいめい

よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み　進化するIGBTの課題と発展形を探る 　第3版 　(図解入門)

書いた人の名前 佐藤淳一／著
しゅっぱんしゃ 秀和システム
しゅっぱんねんげつ 2022.6
本のきごう 5498/00209/

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No. としょかん 本のばんごう 本のしゅるい 本のばしょ くわしいばしょ せいげん じょうたい
1 鶴舞0238062665一般和書２階開架自然・工学在庫 

かんれんしりょう

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しょししょうさい

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本のきごう 5498/00209/
本のだいめい よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み　進化するIGBTの課題と発展形を探る 　第3版 　(図解入門)
書いた人の名前 佐藤淳一／著
しゅっぱんしゃ 秀和システム
しゅっぱんねんげつ 2022.6
ページすう 247p
おおきさ 21cm
シリーズめい 図解入門
シリーズめい Visual Guide Book
ISBN 978-4-7980-6683-7
ぶんるい 5498
いっぱんけんめい 半導体 　 パワーエレクトロニクス
本のしゅるい 一般和書
ないようしょうかい パワー半導体を切り口にした半導体入門書。パワー半導体の歴史や動作の原理、応用、材料、プロセス、参入メーカをわかりやすく解説。水銀整流器からIGBTへの進化、日本製のパワー半導体が強い理由などがわかる。
しょし・ねんぴょう 文献:p246
タイトルコード 1002210016278

ようし 水銀整流器からＩＧＢＴへの進化と日本製のパワー半導体が強い理由。ＳｉＣとＧａＮなど最新情報満載！
もくじ パワー半導体の全貌を俯瞰する
パワー半導体の基本と動作
各種パワー半導体動作と役割
パワー半導体の用途と市場
パワー半導体の分類
パワー半導体用シリコンウェーハ
パワー半導体プロセスの特徴
パワー半導体メーカの紹介
シリコンパワー半導体の発展
シリコンの限界に挑むＳｉＣとＧａＮ
パワー半導体が拓く脱炭素時代
ちょしゃじょうほう 佐藤 淳一
　京都大学大学院工学研究科修士課程修了。１９７８年、東京電気化学工業（株）（現ＴＤＫ）入社。１９８２年、ソニー（株）入社。一貫して、半導体や薄膜デバイス・プロセスの研究開発に従事。この間、半導体先端テクノロジーズ（セリート）創立時に出向、長崎大学工学部非常勤講師などを経験。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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