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一般和書
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ぞうしょじょうほう

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しょしじょうほうサマリ

本のだいめい

躍進するフラッシュメモリ　ユビキタス時代のキーデバイス 　改訂新版 　(K books series)

書いた人の名前 舛岡富士雄／著
しゅっぱんしゃ 工業調査会
しゅっぱんねんげつ 2003.05
本のきごう 5497/00048/

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本のばしょ

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No. としょかん 本のばんごう 本のしゅるい 本のばしょ くわしいばしょ せいげん じょうたい
1 鶴舞0234278760一般和書２階書庫　在庫 

かんれんしりょう

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しょししょうさい

この資料の書誌詳細情報です。

本のきごう 5497/00048/
本のだいめい 躍進するフラッシュメモリ　ユビキタス時代のキーデバイス 　改訂新版 　(K books series)
書いた人の名前 舛岡富士雄／著
しゅっぱんしゃ 工業調査会
しゅっぱんねんげつ 2003.05
ページすう 199p
おおきさ 19cm
シリーズめい K books series
シリーズかんじ 177
ISBN 4-7693-1223-7
ぶんるい 5497
いっぱんけんめい 半導体記憶装置
本のしゅるい 一般和書
タイトルコード 1009913013311

ようし フラッシュメモリは日本発の技術であり、安く、軽く、低消費電力で、信頼性が高く、かつ電源を切っても書込まれた記憶を保持し続ける特徴を持つ。このため、いまではディジタルカメラ、携帯電話等、家庭電化機器のほとんどの製品に使われている。本書では今後急成長が確実である高密度フラッシュメモリの発明者である著者が、本メモリの理論から応用までを詳述する。
もくじ 第１章　半導体メモリ
第２章　フラッシュメモリ
第３章　ＮＯＲ型フラッシュメモリ
第４章　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
第５章　高密度３次元フラッシュメモリ
第６章　ＮＯＲ型フラッシュメモリとＮＡＮＤ型フラッシュメモリの比較
第７章　フラッシュメモリの将来


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