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書誌情報サマリ

書名

Si MOSデバイスの物理　(エレクトロニクスモノグラフシリーズ)

著者名 菅野卓雄／編著
出版者 コロナ社
出版年月 1989
請求記号 N549-8/00871/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210234977一般和書２階書庫　在庫 

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書誌詳細

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請求記号 N549-8/00871/
書名 Si MOSデバイスの物理　(エレクトロニクスモノグラフシリーズ)
著者名 菅野卓雄／編著
出版者 コロナ社
出版年月 1989
ページ数 358p
大きさ 22cm
シリーズ名 エレクトロニクスモノグラフシリーズ
シリーズ巻次 3
ISBN 4-339-01017-0
一般注記 コロナ社創立60周年記念出版
分類 5498
一般件名 有機珪素化合物
書誌種別 一般和書
内容注記 各章末:文献
タイトルコード 1009410079647

要旨 本書はシリコンＭＯＳデバイスについて、行ってきた研究成果を中心にして、ＭＯＳデバイスの物理に関する基本的な問題を取り上げたものである。
目次 第１編　Ｓｉ‐ＳｉＯ〓２系の構造（Ｓｉ熱酸化膜の構造
Ｓｉ‐ＳｉＯ２界面凹凸の電子顕微鏡観察とシリコン表面反転層中の電子の界面散乱）
第２編　Ｓｉ‐ＳｉＯ２系の物理（Ｓｉ表面状態の理論
Ｓｉ‐ＳｉＯ２系の電子状態の理論
Ｓｉ‐ＳｉＯ２界面での電子状態と伝導
低電圧バイアス下におけるＭＯＳ　ＦＥＴしきい値電圧変動のメカニズム）
第３編　Ｓｉ　ＭＯＳプロセス技術（化学エッチングしたＳｉ表面の評価
Ｓｉの反応性イオンエッチング
Ｓｉのプラズマ陽極酸化）
第４編　Ｓｉ　ＭＯＳ系の評価技術（Ｓｉ‐ＳｉＯ２系のＤＬＴＳと測定系
Ｅ．Ｂ．照射によるＳｉ‐ＳｉＯ２界面準位の発生
ＳｉＯ２中のキャリアトラップ）
第５編　ＭＯＳデバイス回路のモデリングとシミュレーション（短チャネルＭＯＳトランジスタのモデリング
ＤＲＡＭ用サブミクロンＭＯＳ　ＦＥＴの設計法と縮小限界
縮小ＣＭＯＳ，ｎＭＯＳインバータの性能比較）
第４編　特殊用途のＭＯＳデバイス（不揮発性メモリ素子
アモルファスＳｉを用いたデバイス
イオン感応性電界効果トランジスタ）


内容細目表：

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