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書誌情報サマリ

書名

SOI構造形成技術 (集積回路プロセス技術シリーズ)

著者名 古川静二郎/編著
出版者 産業図書
出版年月 1987
請求記号 N549-8/00808/


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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0230684409一般和書2階書庫 在庫 

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書誌詳細

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請求記号 N549-8/00808/
書名 SOI構造形成技術 (集積回路プロセス技術シリーズ)
著者名 古川静二郎/編著
出版者 産業図書
出版年月 1987
ページ数 281p
大きさ 22cm
シリーズ名 集積回路プロセス技術シリーズ
ISBN 4-7828-5625-3
一般注記 監修:菅野卓雄
分類 5498
一般件名 有機珪素化合物
書誌種別 一般和書
内容注記 各章末:文献
タイトルコード 1009410015744

要旨 本書は、次の時代あるいは現在の時代でも、最も先端的な半導体技術の主要な要素技術のひとつといえるSOI(Silicon on Insulator)形成技術に関するものである。本書は、適度な重点主義の採用により個々の手法の原理、現状、問題点を深く把握でき、それでいて相互の手法の得失を理解でき、さらに応用例の現状も知ることができ、最終的に読者が自分で将来の本命技術を占えるように編集したつもりである。
目次 1. SOI構造形成技術概論
2. 線状加熱形帯域溶融再結晶化法
3. レーザビーム再結晶化法
4. 電子ビーム再結晶化法
5. 横方向固相方位成長法
6. 結晶性絶縁膜上へのエピタキシャル成長
7. 絶縁層埋込法
8. その他のSOI形成技術
9. デバイスへの応用


内容細目表:

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