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一般和書
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書誌情報サマリ

書名

シリサイド系半導体の科学と技術　資源・環境時代の新しい半導体と関連物質

著者名 前田佳均／編著
出版者 裳華房
出版年月 2014.9
請求記号 5498/00160/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210825089一般和書２階開架自然・工学貸出中 

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書誌詳細

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請求記号 5498/00160/
書名 シリサイド系半導体の科学と技術　資源・環境時代の新しい半導体と関連物質
著者名 前田佳均／編著
出版者 裳華房
出版年月 2014.9
ページ数 16,324p
大きさ 22cm
ISBN 978-4-7853-2920-4
分類 5498
一般件名 半導体
書誌種別 一般和書
内容紹介 シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、そして発光素子、太陽電池、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究などについて解説する。
書誌・年譜・年表 文献:項末
タイトルコード 1001410058028

要旨 本書には、シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、新しいシリサイドの合成と物性、そして発光素子、太陽電池、光学応用、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究が含まれている。これらには、我が国の研究者が世界をリードして生まれた、ユニークで特筆すべきものが多く含まれている。
目次 第１章　シリサイド系半導体の基礎
第２章　結晶成長技術
第３章　薄膜形成技術
第４章　構造解析
第５章　鉄シリサイドの物性
第６章　新しいシリサイドの合成と物性
第７章　シリサイド系半導体の応用
著者情報 前田 佳均
　１９５９年生。１９８２年京都大学工学部卒。１９８４年京都大学大学院工学研究科修了。同年、株式会社日立製作所入社。１９９５年大阪府立大学総合科学部講師、１９９６年助教授、１９９９〜２０００年米国サリー大学客員研究員。２００３年京都大学大学院エネルギー科学研究科助教授、２００７年准教授、２０１２年九州工業大学大学院情報工学研究院教授。専門分野：半導体物性工学、ナノ構造光物性。所属学会：応用物理学会、日本物理学会、日本金属学会、日本真空学会、応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会委員長（初代）。博士（工学）（東京大学）(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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