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一般和書
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書誌情報サマリ

書名

SiC素子の基礎と応用

著者名 荒井和雄／共編 吉田貞史／共編
出版者 オーム社
出版年月 2003.03
請求記号 5498/00054/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0234258325一般和書２階開架自然・工学在庫 

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書誌詳細

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請求記号 5498/00054/
書名 SiC素子の基礎と応用
著者名 荒井和雄／共編 　 吉田貞史／共編
出版者 オーム社
出版年月 2003.03
ページ数 270p
大きさ 22cm
ISBN 4-274-94885-4
分類 5498
一般件名 半導体
書誌種別 一般和書
タイトルコード 1009913001329

要旨 本書は、ＮＥＤＯ「超低損失電力素子技術開発」プロジェクトの成果を主体として、ＳｉＣ基盤研究の全容とＳｉＣデバイスの開発例、パワーデバイスとしての応用展開を、研究開発の息吹が伝わるように構成した。すなわち、記述を、（１）基礎事項、（２）技術フロント、（３）Ｑ＆Ａに分け、（１）では技術開発の基礎と国内外を含めた開発動向および課題を、（２）ではプロジェクトにおいて開発された技術を中心に開発の最前線の技術成果を記載し、（３）ではまだ明確な回答が得られていない重要な問題点を取り上げ、その解決の見通しや方向を論じた。またＧａＮやダイヤモンドといった他のワイドギャップ半導体を含む派生的な技術の解説やトピックスは囲み記事とした。
目次 第１章　パワーエレクトロニクスの新展開
第２章　ＳｉＣバルク単結晶成長技術
第３章　デバイスプロセス技術
第４章　物性・プロセス評価
第５章　デバイス設計・評価
第６章　デバイス実証
第７章　応用と波及効果
第８章　今後の展開
著者情報 荒井 和雄
　（独）産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
吉田 貞史
　（独）産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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