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一般和書
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書誌情報サマリ

書名

Ⅲ族窒化物半導体　(アドバンストエレクトロニクスシリーズ)

著者名 赤崎勇／編著
出版者 培風館
出版年月 1999.12
請求記号 428/00028/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210525598一般和書２階開架自然・工学在庫 

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書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

請求記号 428/00028/
書名 Ⅲ族窒化物半導体　(アドバンストエレクトロニクスシリーズ)
著者名 赤崎勇／編著
出版者 培風館
出版年月 1999.12
ページ数 313p
大きさ 22cm
シリーズ名 アドバンストエレクトロニクスシリーズ
シリーズ巻次 1-21
ISBN 4-563-03621-8
分類 4288
一般件名 半導体 　 結晶成長
書誌種別 一般和書
タイトルコード 1009819055646

要旨 本書は、進展著しい３族窒化物半導体について、基礎から応用まで最新の内容をまとめたものである。１編では、３族窒化物半導体の結晶構造やエネルギー帯構造、また光学的・電気的性質など基礎物性を詳述する。２編では、本半導体研究のブレークスルーとなった様々な結晶成長技術について記述する。３編では、各種デバイスへの応用、すなわち発光ダイオード、レーザダイオード、受光デバイス、および電子デバイスなどについて、その構造、特性について詳述している。
目次 第１編　３族窒化物半導体の物性（エネルギー帯構造―結晶構造
機械的性質・熱（力学）的性質
３族窒化物半導体の光学的・電気的特性）
第２編　３族窒化物半導体の結晶成長（結晶成長の熱力学
バルク結晶成長
ハイドライド気相成長―ＨＶＰＥ　ほか）
第３編　デバイス各論（発光ダイオード
半導体レーザ
受光デバイス　ほか）


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