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書誌情報サマリ

書名

図で見てわかるパワーMOSFET<技術と回路>入門

著者名 李炅烈/著
出版者 日刊工業新聞社
出版年月 2013.12
請求記号 549/00360/


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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0236364121一般和書2階開架自然・工学貸出中 

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トランジスター パワーエレクトロニクス

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

請求記号 549/00360/
書名 図で見てわかるパワーMOSFET<技術と回路>入門
著者名 李炅烈/著
出版者 日刊工業新聞社
出版年月 2013.12
ページ数 153p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-526-07172-0
分類 5496
一般件名 トランジスター   パワーエレクトロニクス
書誌種別 一般和書
内容注記 文献:p148
内容紹介 半導体物質で作られる電子デバイス・MOSFET。半導体の基礎やMOSFETの構造及び動作原理について詳しく解説し、各特性パラメータに関してもMOSFETの構造的な特性をベースに分析し説明。応用例も取り上げる。
タイトルコード 1001310105880

目次 第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎
第2章 MOSFETの概要
第3章 MOSFETの絶対最大定格
第4章 電気的特性
第5章 特性グラフ
第6章 MOSFET使用時の注意点
第7章 MOSFETの応用
著者情報 李 〓[U6]{7085}烈
 韓国外国語大学校卒業。1999年9月〜2002年4月SEIKO EPSON Korea Branch(韓国ソウル)半導体の営業。2002年10月〜2003年11月沖電気工業株式会社(日本八王子市)半導体のマーケティング。2005年3月〜2012年4月東芝ディスクリートセミコンダクターテクノロジー株式会社(日本神奈川県川崎市)アプリケーションエンジニア。2012年5月〜現在、インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社(日本東京)アプリケーションエンジニア(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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