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本のないよう

一般和書
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ぞうしょじょうほう

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しょしじょうほうサマリ

本のだいめい

三次元実装のためのTSV技術　Through Silicon Via

書いた人の名前 伝田精一／著
しゅっぱんしゃ 工業調査会
しゅっぱんねんげつ 2009.7
本のきごう 5498/00115/

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No. としょかん 本のばんごう 本のしゅるい 本のばしょ くわしいばしょ せいげん じょうたい
1 鶴舞0235447174一般和書２階開架自然・工学在庫 

かんれんしりょう

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しょししょうさい

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本のきごう 5498/00115/
本のだいめい 三次元実装のためのTSV技術　Through Silicon Via
書いた人の名前 伝田精一／著
しゅっぱんしゃ 工業調査会
しゅっぱんねんげつ 2009.7
ページすう 237p
おおきさ 21cm
ISBN 978-4-7693-1286-4
ぶんるい 5498
いっぱんけんめい シリコン(半導体)
本のしゅるい 一般和書
ないようちゅうき 文献:章末
ないようしょうかい 半導体テクノロジーの新領域を拓くと期待されているシリコン貫通電極(TSV)技術について、その重要性、基本製作プロセス、作成技術、代表的なデバイス、電気的特性と熱特性など、さまざまな角度から検討する。
タイトルコード 1000910035026

もくじ 第１章　シリコン貫通電極の重要性
第２章　ＴＳＶの基本製作プロセス
第３章　ＴＳＶ作成技術
第４章　代表的なＴＳＶ応用積層デバイス
第５章　シングルＴＳＶイメージセンサ
第６章　シリコンＴＳＶインターポーザ
第７章　ＴＳＶウエハとチップの積層
第８章　ＴＳＶの電気的特性と熱特性


ないよう細目表：

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