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書名

Children's literature review　v. 252 　reviews, criticism, and commentary on books for children and yo... ＋ 続きを見る

著者名 Carol A. Schwartz, editor
出版者 Gale
出版年月 c2021
請求記号 90/00003/２５２

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210941654一般洋書児童書庫　禁帯出在庫 

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書誌詳細

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請求記号 90/00003/２５２
書名 Children's literature review　v. 252 　reviews, criticism, and commentary on books for children and young people 　(Gale literary criticism series)
著者名 Carol A. Schwartz, editor
出版者 Gale
出版年月 c2021
ページ数 xi, 249 p.
大きさ 29 cm
シリーズ名 Gale literary criticism series
ISBN 978-1-4103-9551-1
一般注記 "Produced in association with Layman Poupard Publishing"　Includes bibliographical references and indexes
分類 909
一般件名 英語(ENG)
書誌種別 一般洋書
タイトルコード 1002210017384

要旨 「いつでも、どこでも」を標榜するユビキタス社会の到来によって、メモリは不揮発、高速で、かつ書き換え無制限であることが求められている。これによりテレビのように瞬時に立ち上がるコンピュータが実現するともいわれており、その期待は大きい。こうした要求に応え、高速大容量・不揮発・無制限書き換えをすべて満足させる可能性を持つ唯一のメモリ、それが「ＭＲＡＭ」である。本書は、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリのそれぞれの利点を併せ持ち、ユニバーサルメモリの最有力候補である「ＭＲＡＭ」について、その構造や製造技術、今後の展望などを分かりやすく解説する。
目次 第１章　不揮発性磁気メモリＭＲＡＭとは
第２章　ＭＲＡＭを理解するための磁性の基礎
第３章　巨大磁気抵抗効果
第４章　トンネル磁気抵抗の原理と基本特性
第５章　ＴＭＲ素子の成膜および微細加工技術
第６章　磁化反転機構―ＭＲＡＭの書き込みのための基礎
第７章　ＭＲＡＭ開発の現状
第８章　ＭＲＡＭの将来技術―ギガビット級を目指して
第９章　ＭＲＡＭの応用


内容細目表：

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