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一般和書
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ぞうしょじょうほう

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しょしじょうほうサマリ

本のだいめい

明日吹く風のためにもっと遠くへ　(講談社+α文庫)

書いた人の名前 天海祐希／[著]
しゅっぱんしゃ 講談社
しゅっぱんねんげつ 2001.10
本のきごう 775/00137/

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No. としょかん 本のばんごう 本のしゅるい 本のばしょ くわしいばしょ せいげん じょうたい
1 鶴舞0234836583一般和書２階書庫　在庫 

かんれんしりょう

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しょししょうさい

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本のきごう 775/00137/
本のだいめい 明日吹く風のためにもっと遠くへ　(講談社+α文庫)
書いた人の名前 天海祐希／[著]
しゅっぱんしゃ 講談社
しゅっぱんねんげつ 2001.10
ページすう 277p
おおきさ 16cm
シリーズめい 講談社+α文庫
ISBN 4-06-256524-2
ちゅうき 「明日吹く風のために……」(1995年刊)の改題
ぶんるい 7754
こじんけんめい 天海祐希
本のしゅるい 一般和書
タイトルコード 1009911049447

ようし 本書は、ＮＥＤＯ「超低損失電力素子技術開発」プロジェクトの成果を主体として、ＳｉＣ基盤研究の全容とＳｉＣデバイスの開発例、パワーデバイスとしての応用展開を、研究開発の息吹が伝わるように構成した。すなわち、記述を、（１）基礎事項、（２）技術フロント、（３）Ｑ＆Ａに分け、（１）では技術開発の基礎と国内外を含めた開発動向および課題を、（２）ではプロジェクトにおいて開発された技術を中心に開発の最前線の技術成果を記載し、（３）ではまだ明確な回答が得られていない重要な問題点を取り上げ、その解決の見通しや方向を論じた。またＧａＮやダイヤモンドといった他のワイドギャップ半導体を含む派生的な技術の解説やトピックスは囲み記事とした。
もくじ 第１章　パワーエレクトロニクスの新展開
第２章　ＳｉＣバルク単結晶成長技術
第３章　デバイスプロセス技術
第４章　物性・プロセス評価
第５章　デバイス設計・評価
第６章　デバイス実証
第７章　応用と波及効果
第８章　今後の展開
ちょしゃじょうほう 荒井 和雄
　（独）産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
吉田 貞史
　（独）産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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