感染拡大防止のため、本を読む前、読んだ後は手を洗いましょう。みなさまのご協力をお願いします。

検索結果書誌詳細

一般和書
ログインすると許諾を得た一部の
表紙画像をご覧になれます
  • 書誌の詳細です。 現在、この資料への予約は 0 件あります。
  • ・予約するときは「予約カートに入れる」ボタンをクリックしてください。予約するには図書館窓口で発行したパスワードが必要です。
    ・「予約カートに入れる」ボタンが出ない書誌には予約できません。
    詳しくは「マイページについて－インターネットで予約するには」をご覧ください。

蔵書情報

この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数 在庫数 予約数などを確認できます。

所蔵数 1 在庫数 1 予約数 0

書誌情報サマリ

書名

基礎から学ぶ半導体電子デバイス

著者名 大谷直毅／著
出版者 森北出版
出版年月 2019.10
請求記号 5498/00190/

この資料に対する操作

カートに入れる を押すと この資料を 予約する候補として予約カートに追加します。

いますぐ予約する を押すと 認証後この資料をすぐに予約します。

登録する本棚ログインすると、マイ本棚が利用できます。

資料情報

各蔵書資料に関する詳細情報です。

No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0237564497一般和書２階開架自然・工学在庫 

関連資料

この資料に関連する資料を 同じ著者 出版年 分類 件名 受賞などの切り口でご紹介します。

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

請求記号 5498/00190/
書名 基礎から学ぶ半導体電子デバイス
著者名 大谷直毅／著
出版者 森北出版
出版年月 2019.10
ページ数 9,177p
大きさ 22cm
ISBN 978-4-627-77621-0
分類 5498
一般件名 半導体 　 集積回路
書誌種別 一般和書
内容紹介 半導体の概念からデバイスの基本動作までを丁寧に解説。物理現象を順を追って平易に説明しているので、ミクロな現象の本質を定性的に理解できる。数式の展開を丁寧にするとともに、省略されがちな内容を付録にまとめる。
タイトルコード 1001910069302

要旨 「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。
目次 半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
ｐｎ接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
ＭＯＳダイオード
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳ集積回路
ＭＥＳＦＥＴ
付録Ａ　エネルギーバンド構造について
付録Ｂ　状態密度の計算方法
付録Ｃ　有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録Ｄ　価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録Ｅ　ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録Ｆ　ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録Ｇ　バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足
著者情報 大谷 直毅
　１９９４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年同志社大学工学部助教授。２０１１年同志社大学理工学部教授。専門：半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


内容細目表：

前のページへ
ページの先頭へ トップページへ

本文はここまでです。

ページの終わりです。