蔵書情報
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書誌情報サマリ
| 雑誌名 |
|
| 年月日号 |
復刊178号(1929年6月15日号),復刊180号(1929年7月1日号)~ 復刊183号(1929年8月15日号) |
| 通番 |
00178 00183 |
| 年月日 |
19290615 19290815 |
| 出版者 |
政教社 |
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資料情報
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| No. |
所蔵館 |
資料番号 |
資料種別 |
配架場所 |
別置 |
帯出 |
状態 |
| 1 |
鶴舞 | 0450810445 | 一般和雑誌 | 2階書庫 | | 禁帯出 | 在庫 |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
2991120101082 |
| 年月日号 |
復刊178号(1929年6月15日号),復刊180号(1929年7月1日号)~ 復刊183号(1929年8月15日号) |
| 年月日 |
19290615 19290815 |
| 通番 |
00178 00183 |
| 要旨 |
「いつでも、どこでも」を標榜するユビキタス社会の到来によって、メモリは不揮発、高速で、かつ書き換え無制限であることが求められている。これによりテレビのように瞬時に立ち上がるコンピュータが実現するともいわれており、その期待は大きい。こうした要求に応え、高速大容量・不揮発・無制限書き換えをすべて満足させる可能性を持つ唯一のメモリ、それが「MRAM」である。本書は、SRAM、DRAM、フラッシュメモリのそれぞれの利点を併せ持ち、ユニバーサルメモリの最有力候補である「MRAM」について、その構造や製造技術、今後の展望などを分かりやすく解説する。 |
| 目次 |
第1章 不揮発性磁気メモリMRAMとは 第2章 MRAMを理解するための磁性の基礎 第3章 巨大磁気抵抗効果 第4章 トンネル磁気抵抗の原理と基本特性 第5章 TMR素子の成膜および微細加工技術 第6章 磁化反転機構―MRAMの書き込みのための基礎 第7章 MRAM開発の現状 第8章 MRAMの将来技術―ギガビット級を目指して 第9章 MRAMの応用 |
内容細目表:
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