感染拡大防止のため、本を読む前、読んだ後は手を洗いましょう。みなさまのご協力をお願いします。

検索結果書誌詳細

一般和書
ログインすると許諾を得た一部の
表紙画像をご覧になれます
  • 書誌の詳細です。 現在、この資料への予約は 0 件あります。
  • ・予約するときは「予約カートに入れる」ボタンをクリックしてください。予約するには図書館窓口で発行したパスワードが必要です。
    ・「予約カートに入れる」ボタンが出ない書誌には予約できません。
    詳しくは「マイページについて－インターネットで予約するには」をご覧ください。

蔵書情報

この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数 在庫数 予約数などを確認できます。

所蔵数 1 在庫数 1 予約数 0

書誌情報サマリ

書名

タウア・ニン最新VLSIの基礎

著者名 Yuan Taur／著 Tak H.Ning／著 芝原健太郎／監訳
出版者 丸善
出版年月 2002.09
請求記号 5497/00045/

この資料に対する操作

カートに入れる を押すと この資料を 予約する候補として予約カートに追加します。

いますぐ予約する を押すと 認証後この資料をすぐに予約します。

登録する本棚ログインすると、マイ本棚が利用できます。

資料情報

各蔵書資料に関する詳細情報です。

No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210560801一般和書２階開架自然・工学在庫 

関連資料

この資料に関連する資料を 同じ著者 出版年 分類 件名 受賞などの切り口でご紹介します。

書誌詳細

この資料の書誌詳細情報です。

請求記号 5497/00045/
書名 タウア・ニン最新VLSIの基礎
著者名 Yuan Taur／著 　 Tak H.Ning／著 　 芝原健太郎／監訳
出版者 丸善
出版年月 2002.09
ページ数 610p
大きさ 21cm
ISBN 4-621-07083-5
原書名 Fundamentals of modern VLSI devicesの抄訳
分類 5497
一般件名 集積回路
書誌種別 一般和書
内容注記 文献:p591〜603
タイトルコード 1009912043903

要旨 本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎〜応用までを展開。
目次 デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
バイポーラデバイス設計
バイポーラ性能因子
ＣＭＯＳプロセスフロー
最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
実効状態密度
アインシュタインの関係式
なだれ降伏の開始条件
サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
弱反転での量子学解
エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
真性ベース抵抗


内容細目表：

前のページへ
ページの先頭へ トップページへ

本文はここまでです。

ページの終わりです。