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一般和書
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書誌情報サマリ

書名

窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性　普及版 　(新材料・新素材シリーズ)

著者名 天野浩／監修
出版者 シーエムシー出版
出版年月 2015.12
請求記号 549/00410/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0236892493一般和書２階開架自然・工学在庫 

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書誌詳細

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請求記号 549/00410/
書名 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性　普及版 　(新材料・新素材シリーズ)
並列書名 Bulk Single Crystals of Group Ⅲ Nitride Substrates and Lattice‐Matched Substrates for High Performance Nitride‐Based Devices
著者名 天野浩／監修
出版者 シーエムシー出版
出版年月 2015.12
ページ数 5,225p
大きさ 26cm
シリーズ名 新材料・新素材シリーズ
ISBN 978-4-7813-1044-2
分類 5493
一般件名 電子回路
書誌種別 一般和書
内容紹介 グリーンテクノロジーの基盤技術であるⅢ族窒化物半導体開発。Ⅲ族窒化物単結晶の作製法や、Ⅲ族窒化物半導体に格子整合する基板用材料、それらの基板を用いたデバイス試作の例などを解説する。
タイトルコード 1001510081373

目次 第１章　バルクＧａＮ単結晶の成長（窒化ガリウムのハイドライド気相成長
ＨＶＰＥ成長における低転位化技術　ほか）
第２章　非極性基板とその上の成長（ＨＶＰＥ法による無極性面ＧａＮ成長
半極性面を利用したＩｎＧａＮ系量子井戸構造の作製とその光学特性　ほか）
第３章　ＧａＮ以外の基板（昇華法によるＡｌＮ結晶成長
透明導電性基板としての酸化ガリウム単結晶　ほか）
第４章　ＬＥＤ応用（ＧａＮ基板ＬＥＤ
ＺｎＳｅ白色発光ＬＥＤ　ほか）


内容細目表：

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