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書誌情報サマリ

書名

タウア・ニン最新VLSIの基礎　第2版

著者名 Yuan Taur／[著] Tak H.Ning／[著] 芝原健太郎／監訳
出版者 丸善出版
出版年月 2013.1
請求記号 5497/00071/

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0210786273一般和書２階開架自然・工学在庫 

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書誌詳細

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請求記号 5497/00071/
書名 タウア・ニン最新VLSIの基礎　第2版
著者名 Yuan Taur／[著] 　 Tak H.Ning／[著] 　 芝原健太郎／監訳
出版者 丸善出版
出版年月 2013.1
ページ数 721p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-621-08581-3
一般注記 初版:丸善 2002年刊
原書名 Fundamentals of modern VLSI devices 原著第2版の抄訳
分類 5497
一般件名 集積回路
書誌種別 一般和書
内容注記 文献:p687〜708
内容紹介 CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。MOSFETのスケール長の理論などを加えた第2版。
タイトルコード 1001210106247

要旨 初版より、すべての章が加筆改訂された改訂２版の翻訳書。ＭＯＳＦＥＴのスケール長の理論や高電界輸送モデル、ＳｉＧｅベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、ＣＭＯＳ回路のノイズマージンおよびＲＦ応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、ＳＯＩデバイスについて新たに二つの章が追加された。
目次 序章
デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
ＳＯＩデバイス〔ほか〕


内容細目表：

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