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一般和書
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書誌情報サマリ

書名

半導体デバイスシリーズ　1 　集積ナノデバイス

著者名 権田俊一／編集 谷口研二／編集
出版者 丸善
出版年月 2009.11
請求記号 5498/00118/１

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No. 所蔵館 資料番号 資料種別 配架場所 別置 帯出 状態
1 鶴舞0235513256一般和書２階開架自然・工学在庫 

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書誌詳細

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請求記号 5498/00118/１
書名 半導体デバイスシリーズ　1 　集積ナノデバイス
著者名 権田俊一／編集 　 谷口研二／編集
出版者 丸善
出版年月 2009.11
ページ数 227p
大きさ 21cm
巻書名 集積ナノデバイス
ISBN 978-4-621-08208-9
分類 5498
一般件名 半導体 　 集積回路 　 ナノテクノロジー
書誌種別 一般和書
内容注記 文献:章末
内容紹介 ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法を解説する。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題をまとめたテキスト。
タイトルコード 1000910074212

要旨 変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
目次 １　序論（スケーリング則とムーアの法則
集積ナノデバイスの諸問題　ほか）
２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作
ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）
３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ
移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））
４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題
微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）
５　将来展望（将来に向けての技術動向
集積ナノデバイスマップ　ほか）


内容細目表：

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