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本のないよう

一般和書
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ぞうしょじょうほう

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しょしじょうほうサマリ

本のだいめい

全国のあいつぐ差別事件　2015年度版

書いた人の名前 部落解放・人権政策確立要求中央実行委員会／編
しゅっぱんしゃ 部落解放・人権政策確立要求中央実行委員会
しゅっぱんねんげつ 2015.11
本のきごう 36186/00011/１５

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本のばしょ

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No. としょかん 本のばんごう 本のしゅるい 本のばしょ くわしいばしょ せいげん じょうたい
1 鶴舞0236796009一般和書２階書庫　在庫 

かんれんしりょう

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権田俊一　谷口研二

しょししょうさい

この資料の書誌詳細情報です。

本のきごう 36186/00011/１５
本のだいめい 全国のあいつぐ差別事件　2015年度版
書いた人の名前 部落解放・人権政策確立要求中央実行委員会／編
しゅっぱんしゃ 部落解放・人権政策確立要求中央実行委員会
しゅっぱんねんげつ 2015.11
ページすう 179p
おおきさ 21cm
ISBN 978-4-7592-1475-8
ぶんるい 36186
いっぱんけんめい 部落問題
本のしゅるい 一般和書
ないようしょうかい 2014年4月から2015年3月までの間に生起もしくは発覚した差別事件や、これ以前に発覚し、この間に糾弾会などで集約を確認した差別事件を拾い上げ、比較的事実関係が明確で典型的な事件を編集・紹介する。
タイトルコード 1001510074753

ようし 変革期を迎えるＶＬＳＩ技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第１巻。ナノスケールＶＬＳＩデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
もくじ １　序論（スケーリング則とムーアの法則
集積ナノデバイスの諸問題　ほか）
２　ＭＯＳトランジスタの基礎（ＭＯＳトランジスタの構造と動作
ＭＯＳトランジスタの１次近似モデル　ほか）
３　微細トランジスタの性能向上（極薄膜Ｓｉや３次元構造Ｓｉによる新構造トランジスタ
移動度向上技術（ひずみＳｉ、新チャネル材料））
４　微細化・集積化にともなう諸問題（スケーリングによる微細化とその課題
微細ＭＯＳＦＥＴの信頼性　ほか）
５　将来展望（将来に向けての技術動向
集積ナノデバイスマップ　ほか）


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